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台积电将卷土重来晶圆代工5年 3D嵌入是未来取而代之挑战

2020-08-10 10:36:04 出处:[ 菜菜电脑网 ] 人气:次阅读

(原标题:台积电将染指晶圆代工5年 3D烧录是未来从新挑战)

台积电5nm下半年将旺盛茁壮,3nm预计2022年量产,并已研发2nm,工研院产科国际所研究总监杨瑞临看来,台积电制程5年内将称雄晶圆代工业,3DPVC是新近挑战。

全球芯片巨擘英特尔(Intel)7nm制程进度提早,并显然出炉委外代工订单;同时,手机芯片厂高通(Qualcomm)也传开5nm处理器也许自三星(Samsung)转往由台积电代工生产,让台积电制程领先地位带入市场近期关切焦点。

台积电自始7nm制程于2018年领先量产,并在正因如此版7nm制程先行新增极紫外光(EUV)微影技术,5nm制程在今年持续领先量产,下半年将较弱扎根,贡献全年约8%业绩。

台积电3nm制程技术开发顺利完成,将改用鳍式场效电晶体(FinFET)技术,预计2022年下半年量产,台积电有信心3nm制程届时仍将是半导体业界最精良的技术。

为前提制程技术持续领先,台积电2019年已领先半导体产业研发2nm制程技术,台积电目前尚未月底量产时间,不过,依台积电每2年前推一个世代制程技术推算出,2nm未及于2024年量产。

杨瑞临分析,尽管台积电2nm制程将自过去的FinFET技术,改采周围闸极(GAA)技术,台积电2nm制程仍势必依靠领先地位,以目前情况看成,台积电制程技术将再卷土重来晶圆代工业至少5年。

只是制程微缩技术即将接踵而来物理瓶颈,且价格成本越来越极低,杨瑞临感叹,3D一组新技术PCB技术将更趋关键性,系统性设备与材料问题都合理性补救,这也是台积电的新挑战。

杨瑞临声称,台积电在精良晶圆领域着墨多时,自2016年上架InFO元件技术后,至2019年已发展至第5代整合型扇借助于层叠晶圆技术(InFO-PoP)及第2代整合型扇出暨基板PVC技术(InFO_oS),并开发计划第5代CoWoS。

此外,台积电技术开发系统拆分晶片SoIC,以铜到铜混合结构,连动矽导孔(TSV)发挥作用3D IC技术,将获取直到现在摩尔定律的机会。

杨瑞临相信,台积电在先进设备填充领域仍将领先赢三星。外资并预期,先进设备PVC将是台积电加筑更高的技术与成本门槛,拉大与竞争对手差距的关键。

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