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三星率先推出8nm射频工艺技术,建立健全5G通信芯片解决方案

2021-06-11 17:37:29 出处:[ 菜菜电脑网 ] 人气:次阅读

  (全球TMT2021年6月9日讯)三星提议开发新一代“8纳米射频(RF)工艺技术”,进一步提高5G通信芯片的解决方案。

  
三星半导体韩国H3晶圆代工厂全景

  这种科技化的造技术支持5G通信的多通道和多天线芯片设计,能否为5G通信提供方便“单芯片的解决方案(One Chip Solution)”。三星的8nm RF平台嵌入计划,能不断提高从Sub-6GHz开去毫米波(mmWave)纳米技术的5G半导体代工市场的主导地位。

  三星8nm RF为从仅剩28nm,14nm RF代工解决方案深耕的新一代工艺技术。自2017年至今,三星以高端智能手机氧为,已生产了逾5亿颗的RF 芯片,在RF芯片代工市场逐步形成了主导地位。

  RF芯片把谢绝的射频信号压缩数字信号主要用于数字检视,把补救后的数字信号抽象化为射频信号用做探测器。RF工艺技术中,利用计算机/RF器件性能和数字器件性能都非常主要。

  随着半导体工艺节点的影印,数字电路在性能,功耗和面积上都有著大幅减低,然而虚拟/RF 模块由于蚜虫特性难以宣传品。由于线宽较浅,加剧电阻提高,RF信号拉长性能升高,功耗降低,RF芯片整体性能持续上升。

  为了能克服交互式/RF电路在工艺东开经时的技术挑战,三星开发技术了一种原称“RFeFET
(RF extremeFET)”的别具一格RF器件结构,新的结构只在8nm RF平台上为客户提供,新的RF器件选用较小的功率就足以改善RF性能。与此前的14nm工艺相若,三星“RFeFET(RF extremeFET)”可以帮数字电路的东开经,同时提高虚拟/RF性能,提供服务高性能的5G技术平台。

  工艺优化主要包括电子迁移率缩小立体化和寄主特性最小化。由于RFeFET
的性能的持续提升,射频芯片中晶体管的总数可以不断增加,交互式电路的面积可以减小。

  由于三星“RFeFET
(RF extremeFET)”的双创,与此前的14nm工艺比起,三星的8nm RF工艺需要大大减少约35%的射频芯片面积,且能效也只有约35%的提高。

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